抗高能离子辐照
加厚NiO层至300nm，单粒子烧毁阈值提升至250V，为β-Ga2O3二极管抗辐照加固提供新方案。
Song, He · Junpeng, Wen · Jinyang, Liu · Hao, Weibing · Xuanze, Zhou · 王天琦 · Zhengliang, Zhang · Liu, Jianli · 徐光伟 · 杨树 · Shibing, Long
Applied Physics Letters 2024
将NiO层加厚至300 nm后，TCAD模拟显示p型区电荷分布扩展，减轻了重离子轰击加剧的电场拥挤效应，使单粒子烧毁阈值提高。
较厚的p型区扩展电荷分布，缓解重离子轰击下的电场拥挤，从而降低局部电场峰值，提高器件抗烧毁能力。
通过表面形貌分析，区分了单粒子漏电退化导致的顶部NiO/金属叠层烧毁与单粒子烧毁导致的β-Ga2O3外延层烧穿，为加固设计提供直接依据。