22nm STT-MRAM存内计算宏

8Mb容量 8b精度

针对边缘AI高能效需求,集成权重特征感知读取与输入稀疏预计算,在数字存内计算中显著降低冗余访问与翻转功耗。

De-Qi, You · Chiu, Yen Cheng · Khwa, Win San · Li, Chungyuan · Hsieh, Fangling · Chien, Yuan · Lo, Chungchuan · Liu, Renshuo · Chi-Cheng, Hsieh · Tang, Keationg · Yu-Der, Chih · Chang, Tsung Yung Jonathan · Chang, Mengfan

IEEE Journal of Solid-State Circuits 2023

参数信息

读取带宽
436 GB/s
计算延迟
20 ns
TOPS W
8 b

技术优势

8 Mb STT-MRAM nvNMC宏

22 nm代工工艺