Ta₂NiSe₅薄膜

缺陷调控相变

一种可通过缺陷工程调控结构相变方向的过渡金属硫族化合物薄膜,位错与晶界分别抑制或促进特定相变路径。

Yizhe, Wang · Shanshan, Yan · He, Wang · Jiaqi, Su · Yi, Huang · 马超 · 李子安

Materials Characterization 2024

技术优势

位错能定向调控相变

单个位错即可抑制单斜→正交转变,同时促进正交→单斜转变,为通过缺陷工程定向控制Ta₂NiSe₅的结构相变提供了直接证据。

晶界触发亚稳→稳定相变

晶界限制区域内观察到从亚稳相向稳定相的转变,揭示晶界可作为调控相变路径的局部结构单元。

相变可逆且可循环观测

通过原位加热-冷却循环实验,证实正交-单斜相变可逆发生,并可通过TEM图像中的孪晶变体衬度和衍射斑点分裂进行跟踪。

应用场景