碳化硅太赫兹屏蔽陶瓷

高强宽带屏蔽

3D打印的SiC超材料陶瓷在毫米级尺度上同时实现高机械强度和跨越0.2-1.2THz的宽带电磁屏蔽。

Qu, Piao · Zhixuan, Liang · Jiangyi, Tang · Chongyu, Long · Zhen, Huang · Peinan, Lai · Zhang, Qingle · 陈张伟

Journal of Materials Science and Technology 2027

具体参数

弯曲强度

234.07 ± 15.56 MPa

相对密度

94.8 %

屏蔽效率

99.85 %

技术优势

强度够高

弯曲强度达234.07 MPa，足以作为结构件承载，而非仅作为涂层。

屏蔽宽带

在0.2–1.2 THz范围内屏蔽效率超过99.85%，覆盖大部分太赫兹应用频段。

能批量造

3D打印结合1100°C低温热解即可获得毫米级结构，避免了传统陶瓷烧结的高温耗时工艺。

应用场景

• 太赫兹通信：作为屏蔽罩或隔离壁，防止太赫兹通信设备间的串扰。
• 电磁屏蔽材料：为高功率太赫兹源提供宽带吸收，降低反射和泄漏。
• 3D打印功能陶瓷：直接打印复杂屏蔽结构，省去模具和后续加工。