单晶Cu(111)箔

制备提速10倍

相较于传统退火工艺，通过石墨烯感应与非接触式退火，可将Cu(111)单晶箔的制备速度提升十倍，且获得的单晶颗粒面积超过30 cm²。

Junliang, Ma · Wenhui, Li · Zishun, Wang · Liu, Baishan · 汪伟 · 刘兆平

Journal of Materials Research and Technology 2024

具体参数

单晶颗粒面积

30 cm²

制备时间

20 min

技术优势

制备提速10倍

石墨烯模板诱导铜箔取向转变，非接触式退火避免接触热阻，整个(111)取向转变在20分钟内完成，而传统退火需要更长时间。

单晶面积大于30 cm²

所制备的Cu(111)箔中单个晶粒面积超过30 cm²，满足大尺寸单晶应用需求。

工艺简单

仅需CVD生长石墨烯和退火两步，不涉及复杂设备或额外处理，提高了制备的便捷性。

应用场景

• 毫米波通信：用作低损耗、高导电的毫米波传输线材料。
• 高频电路基板：单晶Cu(111)表面原子排列有序，可减少高频信号散射损耗。
• 锂离子电池负极集流体：作为负极集流体，其单一取向有利于锂的均匀沉积/剥离。
• 薄膜太阳能电池基板：为薄膜光伏材料提供高度取向的导电衬底。
• 微纳制造模板：利用其原子级平整表面作为微纳结构的外延生长模板。