全二维栅敏感FET氢敏平台

室温低功耗超灵敏

基于h-BN/MoS₂异质结构,将化学识别与电荷传输解耦,兼顾稳定性与选择性灵活调控,并借助原子级薄层实现超高灵敏度探测。

Wang, Zhizhi · Linlin, Hou · Liu, Jiaxin · Lin, Chengxu · 吴施 · 刘智勇 · 廖广兰 · 史铁林 · Hu, Long

ACS Sensors 2026

参数信息

灵敏度
0.056 %/ppm
浮栅厚度
1 nm

技术优势

室温超灵敏探测

原子级厚度架构使栅极电容变化直接调制沟道电流,灵敏度达到0.056 %/ppm,适用于痕量氢气检测。

灵敏与响应可灵活定制

选用Ni₅Pd₉₅浮栅获得最高灵敏度,选用Pt浮栅获得最快响应/恢复速度,同一平台即可满足不同应用需求。

抗湿稳定适合长期部署

h-BN封装不仅提供原子级平整界面减少电荷散射,还显著提升器件在潮湿环境下的长期稳定性,可直接用于户外监测。

灵敏可调多一重手段

通过改变h-BN介电层厚度调控电容耦合强度,为灵敏度调节提供了额外自由度,无需更换材料即可调整探测范围。

应用场景