AlN-Cu复合粉体

低温快烧界面强化

微波烧结在600℃、6分钟内实现AlN-Cu界面键合，并原位生成CuAlO₂中间相，尤其当AlN与Cu颗粒半径比接近1时微波加热效率最高，为电子封装用复合材料的粒子设计提供依据。

Xiao, Wang · Xiao, Yu · Yuan, Ren · Liangyuan, Wang · 胡小方 · 许峰

Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology 2025

参数信息

键合温度

600 ℃

键合时间

6 min

Cu:AlN颗粒半径比（最优）

1

技术优势

600℃低温、6分钟快速键合

微波烧结能在600℃下6分钟内实现AlN-Cu键合，并形成CuAlO₂中间相，大幅降低能耗和时间成本。

原位生成CuAlO₂中间相

烧结过程中原位生成CuAlO₂中间相，有利于改善AlN与Cu之间的界面结合。

粒径比≈1时加热效率最高

当Cu与AlN颗粒半径比接近1时，因界面极化重构微波能量分布，实际微波加热效率最高，可直接指导粉体粒径配比。

应用场景

• 电子封装材料：600℃低温键合获得致密界面，可直接用于封装基体与散热结合。
• 热管理：AlN-Cu复合兼顾导热与导电，可作热界面材料降低界面热阻。
• 微电子互连：原位生成CuAlO₂中间相增强界面结合，提升互连可靠性。
• 功率模块基板：快速低温烧结适合制备功率模块的AlN-Cu复合基板。