滑动铁电ReS₂多层膜

矫顽场不降反升

与传统铁电体相反，电子掺杂越多，极化翻转反而越难，为低功耗存储与神经形态器件提供全新操控维度

Liu, Mingyan · 万逸 · Pei, Wang · 张晓东 · Yunwei, Yang · Zhao, Yibin · 曾华凌 · 吴芳 · 黄呈熙 · 胡婷 · Kan, Eerjun

Physical Review B 2025

具体参数

矫顽场

{'zh': '870', 'en': '870'} kV/cm

技术优势

掺杂不退化，反而更稳定

硫空位增多引入额外电荷，使极化态间的翻转势垒增大，矫顽场从低掺杂水平增至870 kV/cm，适合需要高抗干扰能力的存储器件。

用一道退火就能编程矫顽场

在不同气氛中退火即可调整硫空位密度，进而精确控制矫顽场，为同一材料实现不同翻转阈值提供了工艺窗口。

应用场景

• 铁电存储器：利用掺杂提升的矫顽场实现高抗干扰的非易失存储单元。
• 神经形态器件：通过退火调控翻转势垒，构建多级突触权重。
• 二维电子器件：在原子级厚度材料中实现反常的电场翻转调控。
• 柔性铁电器件：二维范德华材料天然适合柔性转移与集成。
• 低功耗晶体管：利用极化态稳定存储信息，降低静态功耗。