SiC MOSFET电流源栅极驱动器

硬开关损耗降五成

采用辅助电感加速栅极充放电,实现比传统电压源驱动器更快的开关速度与更低的开关损耗。

Xiao, Langtao · 张东来

IEEE Transactions on Power Electronics 2025

参数信息

总开关损耗降低(满载)
73.5 %
总开关损耗降低(轻载)
53.1 %

技术优势

开关损耗最多降七成

满载下总开关损耗比传统电压源驱动降低73.5%,因为辅助电感加速栅极充放电,缩短开关时间。

开关速度更快

辅助电感使栅极电容充放电加速,从而缩短开通和关断时间,提升开关速度。

应用场景