CoCrFeMnNi高熵合金接头

界面氧化溶解强键合

通过真空热压连接实现界面氧化物溶解和晶界迁移，获得无缺陷的高强度固态连接接头。

Chuanzong, Li · Zheng, Yi · Wang, Yajie · Yu, Chun · 陈劼实 · Lu, Hao · Kejin, Zhang

Journal of Materials Research and Technology 2023

参数信息

界面氧化物颗粒临界尺寸

<35 nm

界面氧化物颗粒数量上限

<15 per 100 μm

技术优势

力学性能不受残留氧化物影响

当界面残留氧化物颗粒尺寸小于35 nm且数量低于15/100 μm时，接头的力学性能不受影响，因此无需完全消除氧化物即可获得高性能接头。

发现新界面键合机制

揭示了孪晶诱导界面晶界迁移机制，该机制对界面连接质量有促进作用，深化了对固态连接中晶界行为的理解。

实现高质量固态连接

通过界面氧化物颗粒溶解和界面晶界迁移，真空热压连接获得了无缺陷的高质量CoCrFeMnNi高熵合金接头。

应用场景

• 高熵合金连接：为高熵合金构件提供可靠的固态连接方案，确保接头力学性能。
• 金属固态连接：通过晶界迁移和氧化物溶解实现无熔化连接，适用于难焊金属。
• 结构材料加工：制造高性能结构件接头，减少氧化物对力学性能的削弱。