波导集成锗硅雪崩光电探测器

峰值增强频响

利用高偏压下的LC谐振峰显拓宽带宽，在低光功率下保持高速响应。

Yi, Linkai · Liu, Daoquin · Cheng, Wenzheng · Daimo, Li · Guoqi, Zhou · Peng, Zhang · Tang, Bo · 李彬 · 王文武 · 杨妍 · Li, Zhihua

Journal of Semiconductors 2024

参数信息

3-dB带宽

15 GHz

暗电流

38.6 μA

单位增益响应度

0.5 A/W

响应度

2.98 A/W

响应度

2.91 A/W

信噪比

5.30

技术优势

低光功率下带宽不降

利用高偏压下的阻抗峰（LC谐振）增强频率响应，使器件在低输入光功率下仍能保持足够的带宽。

标准CMOS工艺兼容

该横向SACM APD在8英寸SOI晶圆上采用标准CMOS工艺制造，可直接集成到现有硅光平台，降低制造成本。

暗电流低

在-21 V偏压下暗电流仅约38.6 μA，表明击穿电压高于-21 V，有利于降低噪声。

应用场景

• 光通信接收前端：该APD高响应度和低暗电流可提升光接收灵敏度。
• 硅光收发模块：CMOS兼容工艺可直接集成到硅光收发模块。
• 高速光互连：15 GHz带宽支持20 Gbps高速链路。
• 数据中心互连：低输入光功率下仍保持带宽，适合短距密集互连。