Mg/Cu共掺杂P2型正极

抑制高/低压相变

通过Mg稳定低电压Mn层、Cu抑制高电压氧释放,协同实现全电压窗口结构稳定,克服现有P2正极因相变导致的容量衰减。

Xinglong, Liang · Nong, Yutong · 王伟刚 · Cheng, Peng · Yi, Tian · Jingyi, Zhang · Xiao-wei, Wang · 刘久清 · Li, Xi · Zhang J. · 梁骥

Chemical Engineering Journal 2026

具体参数

容量保持率
{'zh': '80', 'en': '80'} %
可逆比容量
{'zh': '78.5', 'en': '78.5'} mAh g⁻¹

技术优势

高电压稳住了

Cu²⁺增强Ni-O键离子性、降低O 2p与过渡金属3d轨道间的电荷转移势垒,减少晶格氧参与和层间滑移,延迟P2–O2相变。

低电压不畸变

Mg²⁺凭借强静电作用和较小离子半径,在深度嵌钠时锚定过渡金属层,抑制Mn歧化和姜-泰勒畸变,消除P2–P′2相变。

循环寿命翻倍

1C倍率下循环300次仍保持80%容量,解决了高低压双端退化导致的容量快速衰减问题。

高倍率能跑

即使在高倍率20C下仍能保持78.5 mAh g⁻¹的可逆容量,结构稳定支持快速充放电。

应用场景