底部肖特基WSe₂光电探测器

零偏压自驱动

底部电极嵌入衬底凹槽，消除顶部接触的光遮挡，同时形成高质量范德华界面抑制费米钉扎，使器件兼具高整流比与快响应。

Li, Jian · Wang, Zhihao · Zhengjin, Weng · Qianqian, Wu · Zhou, Xingyu · 林良良 · 顾晓峰 · 南海燕 · 肖少庆

Advanced Science 2025

参数信息

整流比

1.07 × 10⁴

理想因子

1.11

下降时间

3.8 µs

技术优势

没有光遮挡

底部电极嵌入衬底凹槽与表面齐平，顶部无金属遮挡，光吸收最大化。

界面缺陷少

底部肖特基接触在沉积WSe₂之前形成，避免了金属沉积损伤，获得高质量范德华界面，抑制费米钉扎。

无需外部电源

强内建电场使器件在零偏压下工作，可见光谱范围内实现自驱动探测。

应用场景

• 可见光探测：替代传统硅基探测器，在零偏压下实现可见光快响应。
• 光学传感：用于低功耗光传感系统，无需外接电源即可工作。