SiC MOSFET

栅氧化层降解导致阈值电压升高、开通速度变慢，栅极开通振荡电流显著下降约28%，为栅氧老化在线监测提供新途径。

李豪 · Ruijunjie, Cheng · Xiang, Dawei · Xin, Tian

Zhongguo Dianji Gongcheng Xuebao/Proceedings of the Chinese Society of Electrical Engineering 2024

参数信息

栅极开通振荡电流降幅

28 %

技术优势

无需额外传感器

直接利用变换器中固有的高频开关振荡信号监测栅氧老化，不增加硬件成本。

老化特征明显

随着老化加剧，振荡电流显著下降约 28%，易于检测。

应用场景

• SiC MOSFET 可靠性：用振荡电流变化评估栅氧退化，提升器件可靠性。
• 电力电子变换器：在变换器运行中提取开关振荡信号，实现在线健康监测。
• 功率器件在线监测：用非侵入式高频振荡分析实现栅氧老化在线监测。