反铁电AgNbO₃神经元

8.99 nW 低功耗

利用AgNbO₃反铁电薄膜固有的极化与去极化特性构建人工神经元，解决丝状忆阻器与Mott绝缘体忆阻器的时空波动、高电压、大电流等瓶颈，实现高稳定、高耐久、低功耗的尖峰编码。

赵健慧 · Jiacheng, Wang · Jiameng, Sun · Yiduo, Shao · Yibo, Fan · Pei, Yifei · Zhou, Zhenyu · Wang, Linxia · 王中荣 · Sun, Yong · 郑树凯 · 郭建新 · 赵磊 · 闫小兵

InfoMat 2024

参数信息

功耗
8.99 nW
耐久性
105
光学图像识别准确率
95.34 %
热成像分类准确率
95.76 %

技术优势

功耗低

器件工作电流小，功耗仅8.99 nW，适合大规模集成。

耐久性好

能够承受约105次开关操作，满足长期使用需求。

实现感算一体

直接编码光强和温度信号为脉冲，并用于图像分类，简化感知系统架构。

应用场景