双面封装微通道冷却Ga2O3 SBD

热阻降66.6%，结温降58%

通过双面封装集成微通道冷却，大幅缓解Ga2O3二极管的严重自热瓶颈，使器件在4.5W功耗下结温仅88.6°C，电学特性显著提升。

Jiajun, Zhou · 冯欣 · 张苇杭 · Dong, Pengfei · Liu, Xianhe · 刘志宏 · 周弘 · 74227950 · 张进成

International Journal of Thermal Sciences 2026

参数信息

结到环境热阻

13.3 K/W

最大结温

88.6 °C

工作电流

1025.4 mA

比导通电阻

3.50 mΩ cm²

6000 s通态应力电流退化

7.3 %

技术优势

热管理性能大幅跃升

双面封装与微通道冷却协同，热阻降低66.6%，结温降幅达58%，从根本上缓解Ga₂O₃的自热瓶颈。

电气输出显著增强

相比传统底面封装自然对流方案，3 V下电流提升19.8%，比导通电阻下降至少12.1%。

长期可靠性优异

6000秒通态电应力测试下电流退化仅7.3%，证明该热管理方案有效保障器件稳定工作。

应用场景

• 功率器件热管理：解决高功率Ga₂O₃器件的自热瓶颈，保障系统可靠运行。
• 超宽禁带半导体：突破Ga₂O₃低热导率限制，释放其超宽禁带的性能潜力。
• 微通道散热器：集成微通道实现主动液冷散热，直接降低器件结温。
• 高功率密度电子：提升散热能力以支撑更高功率密度下的稳定工作。