载流子迁移率 84.3 cm²·V⁻¹·s⁻¹
本成果为一种高架金属金属氧化物（EMMO）架构的异质结薄膜晶体管，其沟道由不同阳离子组分的铟锌氧（InZnO）双层构成，在界面处形成二维电子气（2DEG），从而获得了比单层沟道更高的载流子迁移率。
Liao, Congwei
Journal of Semiconductors 2024