表面态调控抑制复合
通过微波烧结实现Sn/Ti短程有序掺杂,优化表面态分布,显著提升光电化学水分解性能。
张聪 · 刘洪 · 何鹏 · 刘芳 · He, Yong · 鱼尾 · Arbiol, Jordi · Wang, Xiuli · Tang, Pengyi
ACS Nano 2026
在1.23 V vs RHE下光电流密度达到3.57 mA cm⁻²,是纯赤铁矿的4.2倍。
耦合NiFeOOH后起始电位从0.84 V负移至0.78 V vs RHE,有利于降低过电位。
短程有序掺杂有效改变了表面态分布,抑制了表面电荷复合,从而提升水氧化效率。