高能钽辐照GaN二极管

辐照失效清晰

一种经1.335 GeV钽离子辐照后出现载流子去除效应的GaN肖特基势垒二极管，其缺陷能级位于Ec-0.15 eV，有助于理解空间辐射损伤机制。

Yan, Ren · Honghui, Liu · Song, Xubo · Gu, Guodong · Lv, Yuanjie · 冯志红 · Yinle, Li · Chao, Pang · Yu, Yongtao · 高成 · Shengze, Zhou · Ni, Yiqiang

IEEE Transactions on Nuclear Science 2026

具体参数

载流子去除率
1.4×10⁷ cm⁻¹
缺陷能级位置
0.15 eV

技术优势

损伤机制明确

潜径迹上的损伤级联是主要机制，SRIM与HRTEM均证实。

缺陷能级确定

缺陷位于Ec-0.15 eV，有效俘获n-GaN层中的载流子。

应用场景