Cu₂O晶面优化电催化剂

等离子增强析氢

原位生长的Cu枝晶通过热电子注入显著提升(111)晶面Cu₂O的析氢活性,光照下起始电位正移52 mV。

Zhang, Hao · Diao, Jiefeng · Liu, Yonghui · Bryan K. Y., Ng · Ding, Zhiyuan · Guo, Zhenyu · 李焕新 · 贾俊 · 于畅 · Xie, Fang · Henkelman, Graeme A. · Titirici, Magdalena Madgalena · Robertson, John · Nellist, Peter D.L. · 段春迎 · Guo, Yuzheng · Jason Riley, D. · 邱介山

Advanced Materials 2023

参数信息

起始电位正移
52 mV
光生电子转移时间
27 fs
电子弛豫时间
170 fs

技术优势

光照下活性大幅提升

Cu枝晶的热电子注入增加Cu₂O表面电荷密度,使催化剂能级更接近H⁺/H₂,从而增强HER电催化活性。

晶面工程优化性能

(111)晶面暴露的八面体Cu₂O具有最低的Heyrovsky步骤能垒,因而析氢性能最佳。

原位重构提升活性

HER过程中Cu₂O被还原并在表面生长Cu枝晶,界面电荷转移增加表面电子浓度,使反应后样品活性优于原始样品。

应用场景