双介质场板台面β-Ga₂O₃肖特基二极管

击穿电压超 2 kV

采用高k HfO₂/SiO₂双层介质与自对准台面，有效缓解电场集中并降低界面态，实现高耐压与低导通电阻的兼顾。

Linhai, Zhong · 冯欣 · 张苇杭 · Liu, Xianhe · 周弘 · 刘志宏 · 74227950 · 张进成

Applied Physics Letters 2025

具体参数

击穿电压

{'zh': '2050', 'en': '2050'} V

比导通电阻

{'zh': '3.85', 'en': '3.85'} mΩ·cm²

理想因子

{'zh': '1.07', 'en': '1.07'}

Baliga优值

{'zh': '1.1', 'en': '1.1'} GW/cm²

技术优势

击穿电压突破2 kV

双层介质场板缓解电场集中，自对准台面消除对准偏差，实现高击穿电压。

应用场景

• 高压功率开关：用于高压功率开关，结合低导通电阻降低损耗。
• 深紫外探测：利用β-Ga₂O₃超宽禁带，可制造日盲深紫外探测器。
• 高压电源模块：可多芯片并联构成高压大功率模块，适用于电网。
• 高压测试设备：用作高压测试设备中的快速恢复二极管。
• 航天耐辐射电子：超宽禁带材料耐辐射，适合航天电源和推进系统。