InSe纳米片紫外光电探测器

响应提升两数量级

采用不对称法布里-佩罗结构，在紫外波段实现选择性吸收增强，使窄带隙InSe纳米片的高灵敏度紫外探测成为可能。

Chen, Shirong · Shan, Longqiang · Wei, Shu · Li-Yan, Liang · Wang, Jiang · Hu, Jigang · 朱文欢 · 罗林保 · 吴春艳

Advanced Optical Materials 2024

具体参数

响应度
{'zh': '11.7', 'en': '11.7'} A W⁻¹
光电导增益
{'zh': '54.7', 'en': '54.7'}
光暗电流比
{'zh': '719', 'en': '719'}
Al2O3间隔层厚度
{'zh': '39', 'en': '39'} nm

技术优势

响应提升100倍

不对称F-P结构把紫外光局域在InSe层内，吸收大幅增强，响应度和增益比无腔器件高两个数量级。

窄带隙也能做紫外

用F-P腔选择性增强紫外吸收，不需要宽带隙半导体，InSe这种窄带隙材料也能实现高灵敏度紫外探测。

弱光下可用

在0.03 mW cm⁻²的弱光强下，响应度仍有11.7 A W⁻¹，增益54.7，适合微弱紫外信号检测。

应用场景