选择性暴露晶面
揭示了暴露晶面对电化学发光性能的调控规律,为设计高亮稳定ECL纳米发射体提供指导。
Zhenghan, Zhang · Cai, Xu · Liu, Huipu · Dong, Pengfei · Xu, Xiang · 李剑 · 吴丽娜 · Lu, Li-Fan · 雷建平
Small 2025
通过选择性暴露(110)晶面,ECL强度较(001)晶面提升19.5倍,直接提高检测灵敏度。
(110)晶面因稳定自由基的积累产生1088倍ECL自放大,无需额外放大策略即可输出高信号。
DFT计算表明过硫酸根与(110)面Zn(II)侧向配位,削弱O─O键并促进其断裂,生成更多SO4•-自由基,加速界面电荷转移。