近理想自旋过滤
通过双层界面分离抑制金属化，恢复MoS₂的少数自旋过滤能力，使磁隧道结接近理论极限。
Huang, Chun Ying · Chen, Yu Jane · Lin, Yu Chen · Wu, Meng Hxien · Pai, Chifeng · Chuang, Chiashain · Hsieh, Yaping · Hofmann, Mario
ACS Applied Materials & Interfaces 2025
仅用两个原子层的分离，MoS₂中的金属波函数就无法再渗透到整个层中，从而恢复其自旋过滤能力。
所得器件的隧道磁电阻为-170.2%，与理想少数自旋过滤的模拟结果一致。
低温下的自旋注入与高温下的自旋依赖隧穿共同作用，使得在整个温度范围内都能维持高TMR。