一个器件实现长短时记忆
利用GeSe表面各向异性Ag离子传输，在同一物理器件中稳定复现长时与短时突触可塑性，直接面向多功能类脑计算。
Yang, Zhe · Yang, Zi Yan · Liu, Long · Li, Xin · 李俊泽 · Xiong, Changying · Mai, Xianliang · 童浩 · 李翌 · 薛堪豪 · 薛晓勇 · Xu, Ming · 李德慧 · 周鹏 · 缪向水
Materials Today Electronics 2023
同一GeSe平面忆阻器中，不同晶向的Ag导电细丝形态差异导致稳定性分化，稳定通道维持长时记忆，脆弱细丝自发断裂形成短时记忆，无需改变器件结构或操作条件。
通过电子显微镜直接观察到方向依赖的导电细丝形貌，证实离子迁移各向异性是开关行为的来源，为器件设计提供直观依据。
论文设计并演示了两种基于该各向异性器件的集成方案，分别针对不同应用场景，可直接用于构建多功能类脑计算系统。