抗中子辐照
在1 MeV、6×10¹³ cm⁻²中子辐照下，AlGaInP顶电池的光电性能退化最小，优于AlInGaAs和InGaAs子电池，适用于空间光伏系统。
Zhou, Jiaming · 张延清 · 刘超铭 · Heyi, Li · 齐春华 · 王天琦 · 马国亮 · 肖立伊 · 霍明学
Optical Materials 2023
在1 MeV、6×10¹³ cm⁻²中子辐照后，AlGaInP子电池的LIV和EQE结果均表明其性能退化最小，优于AlInGaAs和InGaAs子电池。
确保InGaAs子电池有足够退化裕度后，AlInGaAs子电池在辐照前后均为电流限制结，从而提高了UMM4J太阳电池的整体抗辐照能力。
DLTS直接评估了三种子电池的辐照诱导缺陷，确认性能退化主要源于引入SRH复合的缺陷。