环绕栅极空气沟道晶体管

栅极漏电降至pA

通过离子注入源区实现小栅压调控，器件获得饱和输出特性并有效抑制栅极漏电。

Ruihan, Huang · Junxiang, Yang · 陈飞良 · Yuting, Zhou · Lixin, Sun · Haiquan, Zhao · 李沫 · 张健

IEEE Electron Device Letters 2025

具体参数

增益

6.96 dB

截止频率

8.6 kHz

技术优势

栅极漏电流降至pA量级