硅碳负极

70 wt% 碳包覆抑制缺陷

优化碳包覆量与粒径,有效抑制硅颗粒开裂及SEI过度生长,缓解容量衰减。

尹崇山 · Xianhao, Xie · Mengyao, Hu · Yong, Zu · Yidi, Zhang · Linglong, Xie · Wenxi, Lu · 何春清

Sustainable Materials and Technologies 2026

具体参数

碳包覆量
{'zh': '70', 'en': '70'} wt%
粒径
{'zh': '0.7', 'en': '0.7'} μm
缺陷尺寸
{'zh': '5', 'en': '5'} Å

技术优势

抑制硅颗粒开裂

70 wt%碳包覆与0.7 μm粒径有效抑制硅的结构退化,从而减少缺陷累积和微结构损伤。

降低SEI过度生长

通过抑制硅颗粒开裂,减少新暴露表面,从而抑制固体电解质界面的过度形成。

应用场景