纳瓦级光电突触
利用TiO₂纳米层栅极与2DEG沟道，在极低驱动电压下模拟突触权重与突触间隙，实现多种神经形态功能。
Zhan, Teng · 孙前文 · Jin, Lin · 张邦宏 · Guanwan, Liao · 刘泽文 · Junxi, Wang · 李晋闽 · 伊晓燕
Journal of Semiconductors 2025
器件在纳瓦级功率下运行，总功耗远低于常规光电突触。
反向偏压不超过−2.5 V即可获得最大10 nA电流，适合低电压集成。
器件成功模拟了兴奋性突触后电流、短时程/长时程可塑性和双脉冲易化。