掺钨VO₂薄膜

相变温度降至40°C

可层转移到任意衬底,并可通过堆叠不同掺杂度的薄膜构筑准梯度掺杂结构,拓宽相变温区并减小迟滞,为柔性光电器件提供可调谐的红外调控功能层。

Li, Yuan · 马赫 · Shi, Run · Wu, Yonghuang · 富聿岚 · Wei, Yuanqi · Dong, Kaichen · 姜开利 · 刘凯 · 张新平

ACS Nano 2025

参数信息

MIT温度
40 °C

技术优势

转移温度低

薄膜在完成高温生长后,通过逐层转移集成到目标衬底,避免了直接在柔性衬底上高温生长带来的损伤。

相变温区可调

通过堆叠不同掺杂度的薄膜,形成准梯度掺杂结构,有效拓宽相变温区并减小迟滞,使红外调控性能更平缓可控。

兼容柔性衬底

转移工艺允许将VO₂薄膜集成到任意衬底上,包括柔性基底,从而可用于柔性温度指示条和智能光致动器等器件。

应用场景