拓扑缺陷多孔碳负极

高倍率长循环

拓扑缺陷调控的碳微观结构同时提升钾离子界面转移与体相扩散,构建出导电且利于钾存储的负极。

Huang, Junlong · Chen, Yongqi · Cen, Zongheng · Tan, Yi · Liang, Min · Zhu, Youlong · 刘如亮 · 符若文 · 刘绍鸿 · 吴丁财

Advanced Materials 2024

参数信息

比容量
504 mA h g⁻¹
比容量
118 mA h g⁻¹
电导率
39.4 S cm⁻¹

技术优势

钾离子传输快

拓扑缺陷赋予碳晶格高钾吸附能、低钾迁移势垒,促进钾在石墨层内的快速存储与扩散。

界面膜更导电

拓扑缺陷诱导阴离子优先分解,生成高钾离子电导的SEI膜,降低钾离子去溶剂化和转移势垒。

导电性够高

以sp²杂化碳共轭骨架为主,材料电导率达39.4 S cm⁻¹,同时钾存储电位相对较低。

应用场景