大幅提升埋底界面质量
通过强相互作用钝化埋底界面缺陷,同时延缓结晶,从源头减少薄膜体缺陷,提升大面积与柔性器件性能。
Yang, Cao · Li, Yang · Yan, Nan · Meng, L. · Xin, Chen · Zhang, Jiafan · Danyang, Qi · Pi, Jiacheng · Nan, Li · Xiaolong, Feng · Ma, Chuang · Xiao, Fengwei · 赵光涛 · Shuwen, Tan · Xiaoyan, Liu · 刘渝城 · Zhao Kui · Liu, Shengzhong Frank · Feng, Jiangshan
Energy and Environmental Sciences 2025
小面积器件 PCE 达 25.80%,1 cm² 大面积器件达 24.12%,柔性器件达 24.54%,均为同类器件中的领先水平。
PC 与 PbI₂ 的强相互作用在钝化埋底界面缺陷的同时延缓结晶,从源头减少体相缺陷,得到高质量薄膜。
未封装器件在 25 °C、30% 湿度下 1008 小时后仍保持 93.94% 的初始效率。