CMOS工艺三轴霍尔传感器

0.3°精度，片上集成

无需集成磁集中器，直接与标准CMOS工艺兼容，大幅降低三轴磁场角度检测的制造成本与封装难度。

樊华 · Yue, Huichao · Bonizzoni, Edoardo · Feng, Quanyuan · 魏琦

IEEE Sensors Journal 2023

参数信息

的仿真精度
0.3 °
的仿真精度
0.22 °

技术优势

无需IMC

通过垂直霍尔器件直接探测面内磁场，省去集成磁集中器，从而简化制造并降低成本。

消除失调电压

采用四个互补霍尔器件测量同一方向磁场，有效消除失调电压，提高测量准确性。

应用场景