掺钽p型SnOx薄膜

亚阈值摆幅降41%

通过钽掺杂减少缺陷并抑制边缘效应，使p型氧化物薄膜晶体管的电学稳定性显著提高。

Yu, Song · Runtong, Guo · Hong, Ruohao · Rui, He · 邹旭明 · Iñíguez, Benjamín · Flandre, D. · Lei, Liao · 李国立

Journal of Semiconductors 2025

具体参数

缺陷密度

3.25 × 10¹² cm⁻²·eV⁻¹

亚阈值摆幅降低

41 %

带隙展宽

1.98 eV

技术优势

开关电流比2.17 × 10⁴