EQE提升74%
采用As⁺离子注入实现像素间电隔离，在无等离子体损伤的情况下提高发光效率。
Wan T.-C. · Ping-Hsun, Tsai · Lin, Hao Wu · LIN, CHIEN CHUNG · Wuu, Dongsing · Hiroshi Amano · Seong, Tae Yeon · Horng, Ray Hua
Applied Surface Science Advances 2025
采用As+离子注入而非台面刻蚀来隔离像素，避免了等离子体对侧壁的损伤，从而改善了载流子复合效率。
激光剥离后用4 M KOH刻蚀N面n-GaN形成金字塔结构，增大了出光面积，所有样品的光输出功率因此提高。
离子注入μLED在4分钟最优刻蚀后，与台面结构相比EQE提升高达74%，说明该工艺能有效弥补初始性能差距。