去除率提升至285.4 μm³/min
利用光芬顿反应产生的羟基自由基氧化PCD表面，配合CMP实现高效高质量表面加工。
Weiming, Cai · 路家斌 · Xiong, Qiang · Ziyuan, Luo · 阎秋生
Diamond and Related Materials 2023
在优化条件下，材料去除率达到285.4 μm³/min，相比去离子水等环境显著提高。
羟基自由基将PCD表面氧化为C-O、C=O、C-OH基团，进而形成C-O-Si桥键，使材料易于去除。
通过调节pH、光强、Fe₃O₄浓度和H₂O₂浓度等参数，可以优化去除率以适应不同加工需求。