氧化抑制优于石墨烯
电子束诱导制备的非晶碳层，无褶皱裂纹、与铜衬底界面间距小，抗氧化保护性能优于CVD单层石墨烯。
Feng, Panpan · Zhang, Dan · 张国旭 · 李晨蔚 · Wang, You · 陈冠英 · 甘阳
Small 2024
SEM电子束诱导沉积的CDL不会形成褶皱和裂纹，而CVD石墨烯在生长和转移过程中易产生这些缺陷，缺陷处会成为氧扩散的通道。
CDL与铜的界面间距小于石墨烯与铜的界面间距，DFT计算表明这是因为CDL与铜表面的吸附能更大，界面处不易累积氧或水。
分子动力学模拟表明，水或氧在CDL/Cu中的扩散比在Gr/Cu中更困难，从而有效抑制了铜的氧化。