开关快、脉冲强
通过优化注入效率与芯片厚度，抑制了SGTO关断时有害的电压升高现象，提升了器件的开关性能与可靠性。
Shang, Zaixuan · 刘家鹏 · 吴锦鹏 · Xiaotong, Shen · Ren, Chunpin · 陈政宇 · Xiaoyu, Xu · Lingyao, Meng · Lihui, Xu · Fei, Tong · 曾嵘
IEEE Transactions on Power Electronics 2025
通过提高注入效率和减薄芯片，直接针对载流子浓度不足这一根本原因，有效降低了关断时的电压升高。
实测电压下降时间仅70 ns，使器件能够在极短时间内完成关断，适合高频开关场合。
di/dt达到32 (kA/μs)/cm²，表明器件能承受极高的电流上升率，适用于脉冲功率系统。