ZnO压敏电阻器

原位修复介质

通过高渗透修复介质二次烧结在边缘孔隙内生长新晶粒，消除电场畸变并提升能量容量。

Meng, Pengfei · 73044673 · Wei, Li · Yue, Yin · 73044674 · Chengxin, Li · Lei, Wang · 73044677 · 吴隆文

Journal of the European Ceramic Society 2024

参数信息

能量容量

1000 A

技术优势

能量容量提升67%

通过二次烧结在边缘孔隙内生长新晶粒，使2 ms方波下的能量容量从600 A提升至1000 A。

修复介质渗透性高

开发的高渗透修复介质可深入边缘开孔，在二次烧结中实现原位晶粒生长，从而消除孔隙缺陷。

解决热膨胀失配

修复过程中同时解决了修复介质与基体之间热膨胀系数不匹配的问题，避免了界面应力。

应用场景

• 电力系统保护：提升ZnO压敏电阻能量耐受，避免电网过电压时损坏。
• 浪涌保护器件：修复边缘孔隙缺陷，提高浪涌保护器件的通流能力。
• 电子陶瓷：提供电子陶瓷缺陷修复的新方法，提升器件可靠性。