钠离子快充储钠
用晶格应变和硫空位工程提升锡单硫化物负极的赝电容储钠,在快速充放电下仍保持高可逆容量。
Yitong, Jiang · Yihong, Zheng · Lijuan, Tong · Kun, Zuo · Mulan, Tu · Shihong, Chen · Chen, Xiaochuan · 吴军雄 · 陈清华 · Li, Xiaoyan · 陈育明
Energy and Environmental Materials 2025
应变和硫空位的协同效应促进表面/边缘的快速脱嵌,提升赝电容储钠,从而在1 A g⁻¹下实现511.82 mAh g⁻¹的高可逆容量。
得益于赝电容储钠机制,即使电流密度提高到3 A g⁻¹,仍可保持450.60 mAh g⁻¹的容量,表现出优异的倍率能力。