应变富缺陷硫化亚锡负极

钠离子快充储钠

用晶格应变和硫空位工程提升锡单硫化物负极的赝电容储钠,在快速充放电下仍保持高可逆容量。

Yitong, Jiang · Yihong, Zheng · Lijuan, Tong · Kun, Zuo · Mulan, Tu · Shihong, Chen · Chen, Xiaochuan · 吴军雄 · 陈清华 · Li, Xiaoyan · 陈育明

Energy and Environmental Materials 2025

具体参数

可逆容量
{'zh': '511.82', 'en': '511.82'} mAh g⁻¹
倍率容量
{'zh': '450.60', 'en': '450.60'} mAh g⁻¹

技术优势

容量高

应变和硫空位的协同效应促进表面/边缘的快速脱嵌,提升赝电容储钠,从而在1 A g⁻¹下实现511.82 mAh g⁻¹的高可逆容量。

快充不衰减

得益于赝电容储钠机制,即使电流密度提高到3 A g⁻¹,仍可保持450.60 mAh g⁻¹的容量,表现出优异的倍率能力。

应用场景