MXene改性聚酰亚胺

直流闪络电压提升

通过引入MXene纳米片调控表面电荷输运，在0.5 wt%掺杂量下获得最优深陷阱分布，从而显著提高聚酰亚胺复合薄膜的直流沿面闪络电压。

张勃 · Jianhua, Guo · Xiaomin, Wang · 王锦 · Jiang, Wu

Gaodianya Jishu/High Voltage Engineering 2025

技术优势

闪络电压显著提升

添加适量MXene纳米片可改变界面区能级分布，增加深陷阱能级和密度，从而限制电子迁移，提高电阻率和闪络电压。

抑制表面电荷积聚

MXene氧化后对电子有强吸引力，能限制漏电流并提高电强度和电阻率，从而减少电荷积聚引发的闪络风险。

应用场景

• 高压绝缘材料：用于电缆绕包和变压器匝间绝缘，直接替换现有聚酰亚胺薄膜。
• 耐高温介电薄膜：可在高温下稳定工作，适用于需耐高温介电薄膜的场合。
• 电力设备绝缘：用于电力设备绝缘，抑制表面闪络，延长设备寿命。