低损耗低介电
与标准相比,该陶瓷呈现各向异性生长,W-O键是其介电性能的关键因素。
王昕 · Cheng, Zelai · Yulan, Jing · 唐晓莉 · 苏桦
Journal of Alloys and Compounds 2025
Q×f达到63000 GHz,适合高频应用。
τ_f≈−28 ppm/°C,接近零,有望通过调节组成优化。