激光结晶ITO窗口层

方块电阻降58%

用激光原位结晶替代传统热退火,在保持功能层完好的同时,让ITO窗口层兼具高透光与高导电。

Chu, Liu · Li, Shuyu · Yunjie, Bai · 刘瑞建 · Luan, Hongmei · 杨艳春 · 姚斌

Solar Energy 2026

具体参数

方块电阻
10.3 Ω/□
透射率提升
10 %
短路电流密度提升
5 mA/cm²

技术优势

不伤底下各层

激光只在ITO上快速加热并结晶,热影响被局域化,传统退火对CdS等层的退化效应得以避免。

电流直接涨5 mA/cm²

结晶后ITO导电性提升带来更高效的电荷收集,CZTSSe器件的短路电流密度获得5 mA/cm²的跃升。

附带梯度镉掺杂

激光退火在CZTSSe/CdS界面附近诱导出可控的梯度Cd分布,为元素掺杂调控提供了一条新途径。

应用场景