IGZO/In2O3 NW光电晶体管

光功率低至22 pJ

基于金属氧化物异质结架构的人工突触光电晶体管,兼具低光功耗与突触可塑性,适用于图像边缘检测与神经形态计算。

Fu, Can · Zhiyuan, Li · Yujiao, Li · Minmin, Zhu · 罗林保 · Jiang, Shanshan · Wang, Yan · Wang, Wenhao · 何刚

Journal of Materials Science and Technology 2024

具体参数

光功耗
{'zh': '22', 'en': '22'} pJ

技术优势

光功耗极低

仅22 pJ的光功耗,低于已报道的其他纯金属氧化物光电突触。

支持图像边缘检测

器件可作为仿生高通滤波器,实现对图像边缘的检测。

双模突触调制

通过光脉冲与栅极电压协同刺激,实现突触权重调节。

模拟复杂学习规则

高突触权重使器件能够模拟手势识别、视觉图像感知和经典条件反射等神经学习规则。

应用场景