多孔碳化硅单晶电极
150 °C 下万次循环
集成化多孔单晶电极,省去粉体涂覆步骤,利用单晶本征稳定性在高温下实现长效储能。
王守志 · 天歌 · 谢雪健
Nanoscale 2024
具体参数
- 容量保持率
- {'zh': '88.24', 'en': '88.24'} %
技术优势
150 °C下循环5000次容量保持88.24%
得益于单晶的本征稳定性和高密度多孔结构,在高温下依然保持优异的长循环稳定性。
无需粉体涂覆,集成化电极
直接制备成高密度多孔单晶电极片,省去了传统粉体涂覆工艺,简化器件组装。
宽工作温度范围
与离子液体组装的器件在很宽的温度范围内都能工作,适应高温储能场景。
应用场景
- 高温超级电容器:提供可在150 °C长期循环的集成电极,无需额外冷却。
- 耐高温储能:以单晶本征稳定性实现高温储能,适合苛刻环境。
- 宽禁带半导体器件:将宽禁带半导体SiC用于储能器件,拓展其应用。
- 高温电子封装:集成电极设计可简化高温电子系统的封装。