无损氮化镓单晶衬底

加工提速 10 倍

结合ICP刻蚀与CMP，实现原子级表面且全程无损，大幅缩短耗时。

Li, Qiubo · 王守志 · 刘磊 · 宋克鹏 · 俞娇仙 · Wang, Guodong · Liu, Jingliang · Cui, Peng · Siheng, Chen · Defu, Sun · Wang, Zhongxin · 徐现刚 · 张磊

Applied Surface Science 2025

具体参数

加工时间

{'zh': '1.5', 'en': '1.5'} h

技术优势

加工提速 10 倍

ICP 刻蚀与 CMP 协同将总工艺时间从 15 h 降至 1.5 h。

真正无损伤

FIB‑STEM 证实 ICP 各向同性刻蚀实现无损，CMP 亦未引入新损伤。

原子级表面

CMP 湿法氧化反应消除干法刻蚀的杂质与缺陷，获得原子级平面。

应用场景

• 氮化镓功率器件：高效制备无损衬底，直接外延生长功率器件结构。
• 氮化镓射频器件：提供原子级表面以降低射频损耗，提升器件频率特性。
• 激光显示：平滑无损衬底保证激光器量子阱发光均匀性。
• 光电器件衬底：原子级表面减少光电器件界面缺陷，提高效率。