Ga2O3/CuO自供电深紫外探测器

响应度0.78 A/W

p-GaN/CuO/n-Ga2O3 p-i-n异质结结构，无需外部偏压即可实现高响应深紫外光电探测，性能超越多数已报道的Ga2O3自供电探测器。

Xian, Zhang · Zhiang, Yue · Xiang, Guojiao · Zhang, Jinming · Zhao, Enqin · Wenwen, Jin · Jingwen, Shu · Hangyu, He · Lukai, Wang · Guozhuang, Chang · Wenxuan, Ye · 王辉 · 赵洋

Optics and Laser Technology 2025

具体参数

响应度

0.78 A·W⁻¹

探测率

6.22 × 10¹⁰ Jones

技术优势

上升时间0.014 s，衰减时间0.154 s

工作温度20–100 °C