CdSe量子点

缺陷显著降低

通过物理控制成核和壳层钝化降低晶格与表面缺陷，实现高效发光

Huang, Qiaocan · Yang, Zunxian · Ye, Yuliang · Meng, Zongyi · Zeng, Zhiwei · Hong, Hongyi · Ye, Songwei · Cheng, Zhiming · Lan, Qianting · Ye, Bingqing · Zhou, Yuanqing · Shen, Zihong · Wu, Wenbo · Wang, Jiaxiang · Ye, Chen · Hui, Zhang · 郭太良 · 李福山 · Yongyi, Chen · 翁臻臻

ACS Applied Nano Materials 2024

参数信息

荧光寿命

36.41 ns

发射波长

533 nm

最大外量子效率

8.06 %

技术优势

缺陷密度显著降低

通过物理成核控制和壳层钝化，晶格与表面缺陷被有效抑制，荧光寿命测试证实缺陷态大幅减少。

发射波长大范围可调

仅通过稀释热注入体系，无需改变前驱体比例，即实现发射从595 nm蓝移至533 nm，连续覆盖橙光到绿光。

器件效率大幅提升

引入3 nm LiF保护层防止配体脱落，QLED最大EQE达8.06%。

应用场景

• 量子点发光显示：窄发射、高效率的CdSe QLED可用于广色域显示面板。
• micro-LED色彩转换：可调蓝移的量子点作为micro-LED色彩转换层，避免色彩串扰。
• 窄带发射光源：CdSe量子点固有的窄发射半峰宽适宜高标准窄带光源。
• 荧光生物标记：高荧光效率、可调发射的量子点用于多色生物成像标记。