Cu6Sn5连接薄膜

3分钟高剪切

由双束激光共沉积与实时加热原位制备，可实现功率半导体封装接头的快速形成与强化。

Huan, Hu · 王乙舒 · 加强 · Bolong, Zhou · Ruochen, Liu · 马立民 · Zou Guisheng · 郭福

Materials and Design 2025

参数信息

剪切强度

72 MPa

功率循环耐久性

40000 cycles

键合压力

15 MPa

技术优势

3分钟成膜

双束激光共沉积结合实时加热，在3分钟内实现Cu6Sn5薄膜的快速原位制备，大幅缩短加工时间。

剪切强度达72 MPa

在260 °C和15 MPa键合压力下，3分钟内Cu-Sn全IMC接头剪切强度可达72 MPa，满足功率模块机械可靠性要求。

40,000次功率循环

使用该薄膜键合的SiC二极管在结温超过160 °C下功率循环耐久性超过40,000次，展现出优异的高温可靠性。

应用场景

• 功率半导体封装：提供快速键合的高强度互连，缩短封装周期。
• 高温互连：全IMC结构耐高温，保障高温环境下电连接稳定。
• SiC模块封装：经受40,000次高温功率循环，适配SiC模块长寿命需求。