悬浮InSe膜MSJ

挠曲电极化增强

通过非均匀拉伸应变诱导面内挠曲电极化，悬浮InSe膜金属-半导体结在电学、机电和光电性能上均优于支撑结构。

Junjie, Wu · He, Zhuangzhuang · Zuo G.Q. · Sun, Liang · 谭丹 · 张春利

Materials Today Physics 2025

参数信息

面内挠曲电系数 f1111=f2222

3.053 nC/m

面内挠曲电系数 f1221=f2112

-9.374 nC/m

面外挠曲电系数 f3113=f3223

-0.0188 nC/m

面外挠曲电系数 f3333

-0.1407 nC/m

技术优势

输出电流更高

悬浮结构产生的面内挠曲电极化更大，因此输出电流高于支撑结构。

机电响应增强

悬浮膜结构消除了衬底影响，使面内极化充分参与机电耦合，从而提升机电响应。

光电响应提高

悬浮膜结构产生的面内极化增强了光电转换，使光电响应优于支撑结构。

应用场景

• 柔性电子器件：悬浮结构摆脱衬底束缚，可直接集成于柔性电路。
• 悬浮膜传感器：悬浮膜对应变更敏感，适合做高灵敏力学传感器。
• 二维半导体器件：通过挠曲电效应实现了器件性能的力学调控。
• 光电探测器：悬浮膜增强了光电响应，可提升探测灵敏度。